音信称三星电子已启动 4nm 制程 HBM4 逻辑芯片试分娩

IT之家 1 月 3 日音信，韩媒《Chosun Biz》当地时候本日报谈称，三星电子 DS 部门内存（IT之家注：即存储器）业务部最近完成了 HBM4 内存逻辑芯片诡计；Foundry 业务部现已确认该诡计罗致 4nm 制程启动试分娩。

待完成逻辑芯片的最终性能考据后，三星电子将向客户提供其建造的 HBM4 内存样品。

▲ 三星电子的 HBM 内存

逻辑芯片也称基础裸片、接口芯片，在合座 HBM 内存堆栈中起到“大脑”的作用，崇拜摈弃其上方多层 DRAM Die。在 HBM4 世代，由于内存堆栈 I/O 引脚数目加倍、需集成更多功能等一系列身分，三大内存原厂均罗致逻辑半导体代工制造逻辑芯片。

业内东谈主士暗示，起原时的发烧是 HBM 内存的最大敌东谈主，而在堆栈合座中逻辑芯片更是发烧大户，罗致先进制程制造逻辑芯片有助于改善 HBM4 的能效与性能发扬。

三星电子试图在 HBM4 上选拔相对激进的本事路子以扶助在 HBM3 (E) 世代因质料原因而丢失的 HBM 内存商场份额：除罗致自家 4nm 工艺制造逻辑芯片外，三星电子还将在 HBM4 上导入 1c nm 制程 DRAM Die，并有望在 16Hi 堆栈中引入无凸块的混杂键合本事。