音信称三星电子初始下代 1c nm 内存量产建立订购，来岁 2 月引进

IT之家 12 月 11 日音信，韩媒 ZDNet 当地时辰 9 日征引行业叙述暗意，三星电子已于近日初始下代 1c nm 制程 DRAM 内存量产所需建立的采购，从 Lam Research 泛林集团等主要半导体建立制造商购买的建立将于来岁 2 月摆布引进至量产线。

三星电子当今尚未官宣 1c nm（IT之家注：第 6 代 10nm 级制程）DRAM。报说念指出三星电子的 1c nm 当今处于试产情状，已赢得首批 Good Die 良品晶粒，其首条 1c nm 量产线将缔造于韩国京畿说念平泽 P4 工场。

▲ 三星电子平泽厂区

业内东说念主士暗意，三星电子 1c nm 量产投资的初期界限不会很大，这是因为尚需时日来终了这一新制程 DRAM 良率的自由，待工艺进修后三星才会进行极端的投资。

此前有音信称三星电子已阐发将不才代 HBM4 中运用 1c nm DRAM，不错说 1c nm 的发达很猛经过上决定了三星能否在竞争热烈的 HBM 内存市集赶上以至突出当今的朝上者 SK 海力士。